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H3543HWF-AG 139μm 無形シリコン A-Si カーブド DR パネル

認証
中国 HUATEC  GROUP  CORPORATION 認証
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H3543HWF-AG 139μm 無形シリコン A-Si カーブド DR パネル

H3543HWF-AG 139μm 無形シリコン A-Si カーブド DR パネル
H3543HWF-AG 139μm 無形シリコン A-Si カーブド DR パネル H3543HWF-AG 139μm 無形シリコン A-Si カーブド DR パネル

大画像 :  H3543HWF-AG 139μm 無形シリコン A-Si カーブド DR パネル

商品の詳細:
起源の場所: 中国
ブランド名: HUATEC
証明: CE
モデル番号: H3543HWF-AG
お支払配送条件:
最小注文数量: 1pc
パッケージの詳細: カートン包装箱
受渡し時間: あなたの支払のレシートの後の10-15仕事日
支払条件: T/T,Paypal メールで受け取る
供給の能力: 5sets/month

H3543HWF-AG 139μm 無形シリコン A-Si カーブド DR パネル

説明
アクティブ エリア: 350 × 430 mm ピクセルピッチ: 139 μm
決議: 2560 x 3072 エネルギー範囲: 40〜350KV
ダイナミック レンジ: ≥84 dB
ハイライト:

カーブド DR パネル

,

A-Si カーブド DR パネル

,

無形シリコン曲線型DRパネル

H3543HWF-AG 139μm アモルファスシリコン A-Si 湾曲 DR パネル

 

センサー
レセプタータイプ a-Si

シンチレータ Gos

有効エリア350 x 430 mm

解像度 2560 x 3072

画素ピッチ 139 μm

 

電気的特性とインターフェース
A/D変換 16ビット

データインターフェース ギガビットイーサネット/802.11ac (5Gのみ)

取得時間 有線:1秒; 無線:3秒

露光制御 ソフトウェア/同期
メモリ 4 GB DDR4、8 GB SDカード


機械的特性
寸法 583x437x21.8mm
重量 4.5kg (バッテリーなし)

材質 アルミニウムおよびマグネシウム合金

フロントパネル 炭素繊維

 

 

環境

温度 10-35°C (動作時); -10~50°C (保管時)

湿度 30-70% RH (結露しないこと)

IP保護 IP54 (IP67にカスタマイズ)

 

電源とバッテリー

アダプター入力 AC 100-240V、50-60Hz

アダプター出力 DC 24V、2.7A

消費電力<20 W

待機時間 6.5 時間

充電時間 4.5 時間

 

画質
限界解像度 3.5 LP/mm

エネルギー範囲 40-350 KV

ダイナミックレンジ≥84 dB

感度 ≥0.54 LSB/nGy

ゴースト<1% 1stフレーム

DQE 42% @(1 LP/mm)

28% @(2 LP/mm)

MTF 68% @(1 LP/mm)

38% @(2 LP/mm)

20% @(3 LP/mm)

H3543HWF-AG 139μm 無形シリコン A-Si カーブド DR パネル 0

連絡先の詳細
HUATEC GROUP CORPORATION

コンタクトパーソン: Ms. Shifen Yuan

電話番号: 8610 82921131,8618610328618

ファックス: 86-10-82916893

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